HiSilicon Kirin 655 对 Qualcomm Snapdragon 650. 规格、性能、测试

有关被比较的处理器、系列、代数和细分市场的背景信息。

• 分段
  Mobile Mobile
• 系列
  HiSilicon Kirin Qualcomm Snapdragon
• 一代人
  4 4
• CPU组
  HiSilicon Kirin 650 Qualcomm Snapdragon 650

基本参数，如核心数、线程数、基本和涡轮频率以及缓存大小。这些参数间接说明了处理器的速度，它们越高越好。

• 頻率
  1.70 GHz 1.40 GHz
• CPU核数
  8 6
• 涡轮增压 (1核)
  2.12 GHz 1.80 GHz
• CPU线程
  8 6
• 超线程
  没有 没有
• 超频
  没有 没有
• 核心架构
  hybrid (big.LITTLE) hybrid (big.LITTLE)
• A core
  4x Cortex-A53 2x Cortex-A72
• B core
  4x Cortex-A53 4x Cortex-A53

内部图形不影响CPU的性能，在没有显卡或在移动设备上执行显卡的工作。

• GPU名称
  ARM Mali-T830 MP2 Qualcomm Adreno 510
• GPU frequency
  0.90 GHz 0.60 GHz
• GPU (Turbo)
  0.90 GHz 0.60 GHz
• 执行单位
  2 0
• 着色器
  32 128
• Max. displays
  2 0
• 一代人
  Midgard 4 5
• DirectX Version
  11 11
• 技术过程
  28nm 14 nm
• 发布日期
  Q4/2015 Q4/2015

用于编码和解码内容的内置编解码器。大大地加快了所需的操作。

• h265 / HEVC (8 bit)
  Decode / Encode Decode
• h265 / HEVC (10 bit)
  Decode 没有
• h264
  Decode / Encode Decode
• VP9
  没有 Decode
• VP8
  Decode / Encode Decode
• AV1
  没有 没有
• AVC
  没有 没有
• VC-1
  没有 Decode
• JPEG
  Decode / Encode Decode

支持的RAM的类型、通道数量 Qualcomm Snapdragon 650 和 HiSilicon Kirin 655. 根据主板的不同，可能支持更高或更低的内存频率。

• 存储器类型
  LPDDR3-933 LPDDR3-933
• ECC
  没有 没有
• 记忆通道
  2 2

• AES-NI
  没有 没有

比较TDP的要求 HiSilicon Kirin 655 和 Qualcomm Snapdragon 650 来选择一个冷却系统。注意，TDP值指的是热瓦特，而不是电瓦特。

架构、接口、所支持的额外指令 HiSilicon Kirin 655 和 HiSilicon Kirin 655, 虚拟机技术和工艺技术。

• 指令集（ISA）
  ARMv8-A64 (64 bit) ARMv8-A64 (64 bit)
• 虚拟化
  None None
• 建筑学
  Cortex-A53 / Cortex-A53 Cortex-A72 / Cortex-A53
• 技术过程
  16 nm 28 nm
• 插座
  N/A N/A
• 发布日期
  Q2/2016 Q1/2016
• Part Number
  -- MSM8956