HiSilicon Kirin 810 versus Qualcomm Snapdragon 665. Especificações, desempenho, testes

Informação de base sobre os processadores a serem comparados, séries, geração e segmento de mercado.

• Segmento
  Mobile Mobile
• Série
  HiSilicon Kirin Qualcomm Snapdragon
• Geração
  6 7
• Grupo CPU
  HiSilicon Kirin 810/820 Qualcomm Snapdragon 662/665

Parâmetros básicos tais como número de núcleos, número de roscas, frequência de base e turbo, e tamanho da cache. Estes parâmetros informam indirectamente sobre a velocidade do processador, quanto maior for a sua velocidade, melhor.

• Frequência
  1.90 GHz 1.80 GHz
• Núcleos de CPU
  8 8
• Turbo (1 núcleo)
  2.20 GHz 2.00 GHz
• Roscas de CPU
  8 8
• Turbo (8 Cores)
  2.20 GHz 1.80 GHz
• Hyperthreading
  Não Não
• Overclocking
  Não Não
• Arquitectura central
  hybrid (big.LITTLE) hybrid (big.LITTLE)
• A core
  2x Cortex-A76 4x Kryo 260 Gold
• B core
  6x Cortex-A55 4x Kryo 260 Silver

A placa gráfica interna não afecta o desempenho da CPU, realiza o trabalho da placa gráfica na sua ausência ou em dispositivos móveis.

• Nome da GPU
  ARM Mali-G52 MP6 Qualcomm Adreno 610
• GPU frequency
  0.85 GHz
• GPU (Turbo)
  Sem turbo Sem turbo
• Unidades de execução
  16 0
• Shader
  288 128
• Max. GPU Memory
  4 GB 4 GB
• Max. displays
  2 0
• Geração
  Bifrost 2 6
• DirectX Version
  12 12.1
• Processo técnico
  12 nm 11 nm
• Data de lançamento
  Q1/2018 Q2/2019

Codecs incorporados utilizados para codificar e descodificar o conteúdo. Acelera significativamente as operações necessárias.

• h265 / HEVC (8 bit)
  Decode / Encode Decode
• h265 / HEVC (10 bit)
  Decode / Encode Decode
• h264
  Decode / Encode Decode / Encode
• VP9
  Decode / Encode Decode
• VP8
  Decode / Encode Decode
• AV1
  Não Não
• AVC
  Decode / Encode Decode
• VC-1
  Decode / Encode Decode
• JPEG
  Decode / Encode Decode / Encode

Tipos, quantidade de canais de RAM suportados por Qualcomm Snapdragon 665 e HiSilicon Kirin 810. Dependendo das placas-mãe, podem ser suportadas frequências de memória mais altas ou mais baixas.

• Tipo de memória
  LPDDR4X-2133 LPDDR3-1866LPDDR4X-1866
• Máx. Memória
  6 GB
• ECC
  Não Não
• Canais de memória
  4 2

• AES-NI
  Não Não

Comparar os requisitos de TDP do TDP HiSilicon Kirin 810 e Qualcomm Snapdragon 665 para seleccionar um sistema de arrefecimento. Nota: o valor do TDP refere-se a watts térmicos, não a watts eléctricos.

• TDP (PL1)
  5 W

Arquitectura, interfaces, instruções adicionais suportadas por HiSilicon Kirin 810 e HiSilicon Kirin 810, tecnologias de máquinas virtuais e tecnologia de processos.

• Conjunto de instruções (ISA)
  ARMv8-A64 (64 bit) ARMv8-A64 (64 bit)
• Virtualização
  None None
• Кеш L3
  1.00 MB --
• Arquitectura
  Cortex-A76 / Cortex-A55 Kryo 260
• Processo técnico
  7 nm 11 nm
• Socket
  N/A N/A
• Data de lançamento
  Q2/2019 Q2/2019
• Part Number
  -- SM6125