HiSilicon Kirin 810 contra Qualcomm Snapdragon 665. Especificaciones, rendimiento, pruebas

Información sobre los procesadores que se comparan, serie, generación y segmento de mercado.

• Grupo CPU
  HiSilicon Kirin 810/820 Qualcomm Snapdragon 662/665
• Serie
  HiSilicon Kirin Qualcomm Snapdragon
• Generación
  6 7
• Segmento
  Mobile Mobile

Core counts, threads, cache and clock modes describe the CPU configuration. Performance depends on the workload and comparable measured results.

• A-Core
  2x Cortex-A76 4x Kryo 260 Gold
• B-Core
  6x Cortex-A55 4x Kryo 260 Silver
• Base Frequency
  1.9 GHz 1.8 GHz
• Arquitectura del núcleo
  hybrid (big.LITTLE) hybrid (big.LITTLE)
• Núcleos de CPU
  8 8
• Hilos de la CPU
  8 8
• Hyperthreading / SMT
  No No
• Overclocking
  No No
• Turbo Frequency (1 Core)
  2.2 GHz 2 GHz
• Turbo Frequency (8 Cores)
  2.2 GHz 1.8 GHz

La gráfica interna no afecta al rendimiento de la CPU, realiza el trabajo de la tarjeta gráfica en su ausencia o en dispositivos móviles.

• DirectX Version
  12 12.1
• Unidades de ejecución
  16 0
• Generación
  Bifrost 2 6
• GPU Frequency
  850 MHz -
• Nombre de la GPU
  ARM Mali-G52 MP6 Qualcomm Adreno 610
• GPU Turbo
  sin turbo sin turbo
• Max. displays
  2 0
• Max. GPU Memory
  4 GB 4 GB
• Fecha de publicación
  Q1/2018 Q2/2019
• Shader
  288 128
• Proceso técnico
  12 nm 11 nm

Códecs incorporados para codificar y descodificar contenidos. Acelera significativamente las operaciones necesarias.

• AV1
  No No
• H.264 / AVC
  Decode / Encode Conflicting source values: Decode | Decode / Encode
• h265 / HEVC (8 bit)
  Decode / Encode Decode
• h265 / HEVC (10 bit)
  Decode / Encode Decode
• JPEG
  Decode / Encode Decode / Encode
• VC-1
  Decode / Encode Decode
• VP8
  Decode / Encode Decode
• VP9
  Decode / Encode Decode

Tipos, cantidad de canales de RAM soportados por Qualcomm Snapdragon 665 y HiSilicon Kirin 810. Dependiendo de las placas base, pueden admitirse frecuencias de memoria más altas o más bajas.

• ECC
  No No
• Max. Memoria
  6 GB -
• Canales de memoria
  4 2
• Tipo de memoria
  LPDDR4X-2133 LPDDR3-1866LPDDR4X-1866

• AES-NI
  No No

Compara los requisitos del TDP HiSilicon Kirin 810 y Qualcomm Snapdragon 665 Power specifications describe different manufacturer limits. TDP, base power and maximum turbo power are separate values; they do not establish measured system consumption.

• TDP (PL1, legacy label)
  5 W -

Arquitectura, interfaces, instrucciones adicionales soportadas por HiSilicon Kirin 810 y Qualcomm Snapdragon 665, tecnologías de máquinas virtuales y tecnología de procesos.

• Arquitectura
  Cortex-A76 / Cortex-A55 Kryo 260
• Juego de instrucciones (ISA)
  ARMv8-A64 (64 bit) ARMv8-A64 (64 bit)
• L3-Cache
  1.00 MB -
• Part Number
  - SM6125
• Fecha de publicación
  Q2/2019 Q2/2019
• Proceso técnico
  7 nm 11 nm
• Virtualización
  None None