HiSilicon Kirin 910 versus Qualcomm Snapdragon 865. Especificações, desempenho, testes

Informação de base sobre os processadores a serem comparados, séries, geração e segmento de mercado.

• Grupo CPU
  HiSilicon Kirin 910 Qualcomm Snapdragon 865/870
• Série
  HiSilicon Kirin Qualcomm Snapdragon
• Geração
  1 7
• Segmento
  Mobile Mobile

Core counts, threads, cache and clock modes describe the CPU configuration. Performance depends on the workload and comparable measured results.

• A-Core
  - 1x Kryo 585 Prime
• B-Core
  - 3x Kryo 585 Gold
• Base Frequency
  1.6 GHz 1.8 GHz
• C-Core
  - 4x Kryo 585 Silver
• Arquitectura central
  normal hybrid (Prime / big.LITTLE)
• Núcleos de CPU
  4 8
• Roscas de CPU
  4 8
• Hyperthreading / SMT
  Não Não
• Overclocking
  Não Não
• Turbo Frequency (1 Core)
  1.6 GHz 2.84 GHz
• Turbo Frequency (4 Cores)
  1.6 GHz -
• Turbo Frequency (8 Cores)
  - 2.42 GHz

A placa gráfica interna não afecta o desempenho da CPU, realiza o trabalho da placa gráfica na sua ausência ou em dispositivos móveis.

• DirectX Version
  0 12.0
• Unidades de execução
  4 2
• Geração
  Utgard 6
• GPU Frequency
  530 MHz 250 MHz
• Nome da GPU
  ARM Mali-450 MP4 Qualcomm Adreno 650
• GPU Turbo
  530 MHz 590 MHz
• Max. displays
  1 1
• Data de lançamento
  2012 Q4/2019
• Shader
  64 512
• Processo técnico
  28nm 7 nm

Codecs incorporados utilizados para codificar e descodificar o conteúdo. Acelera significativamente as operações necessárias.

• AV1
  Não Não
• H.264 / AVC
  Não Conflicting source values: Decode | Decode / Encode
• h265 / HEVC (8 bit)
  Não Decode / Encode
• h265 / HEVC (10 bit)
  Não Decode / Encode
• JPEG
  Não Decode / Encode
• VC-1
  Não Decode
• VP8
  Não Decode / Encode
• VP9
  Não Decode / Encode

Tipos, quantidade de canais de RAM suportados por Qualcomm Snapdragon 865 e HiSilicon Kirin 910. Dependendo das placas-mãe, podem ser suportadas frequências de memória mais altas ou mais baixas.

• ECC
  Não Não
• Máx. Memória
  - 16 GB
• Canais de memória
  1 4
• Tipo de memória
  LPDDR3 LPDDR4X-4266

• AES-NI
  Não Não

Comparar os requisitos de TDP do TDP HiSilicon Kirin 910 e Qualcomm Snapdragon 865 Power specifications describe different manufacturer limits. TDP, base power and maximum turbo power are separate values; they do not establish measured system consumption.

• TDP (PL1, legacy label)
  - 10 W

Arquitectura, interfaces, instruções adicionais suportadas por HiSilicon Kirin 910 e Qualcomm Snapdragon 865, tecnologias de máquinas virtuais e tecnologia de processos.

• Arquitectura
  Cortex-A9 Kryo 585
• Conjunto de instruções (ISA)
  ARMv7-A32 (32 bit) ARMv8-A64 (64 bit)
• Кеш L2
  - 2 MB
• Кеш L3
  - 3 MB
• Part Number
  - SM8250
• Data de lançamento
  Q1/2014 Q4/2019
• Processo técnico
  28 nm 7 nm
• Virtualização
  None None