Qualcomm Snapdragon 835 对 Intel Core i7-2620M. 规格、性能、测试

有关被比较的处理器、系列、代数和细分市场的背景信息。

• CPU组
  Qualcomm Snapdragon 830 Intel Core i 2000M
• 系列
  Qualcomm Snapdragon Intel Core i7
• 一代人
  4 2
• 分段
  Mobile Mobile

Core counts, threads, cache and clock modes describe the CPU configuration. Performance depends on the workload and comparable measured results.

• A-Core
  4x Kryo 280 Gold -
• B-Core
  4x Kryo 280 Silver -
• Base Frequency
  1.9 GHz 2.7 GHz
• 核心架构
  hybrid (big.LITTLE) normal
• CPU核数
  8 2
• CPU线程
  8 4
• Hyperthreading / SMT
  没有 是
• 超频
  没有 没有
• Turbo Frequency (1 Core)
  2.45 GHz 3.4 GHz
• Turbo Frequency (8 Cores)
  2.45 GHz -
• Turbo Frequency (2 Cores)
  - 没有涡轮增压

内部图形不影响CPU的性能，在没有显卡或在移动设备上执行显卡的工作。

• DirectX Version
  11.1 10.1
• 执行单位
  0 12
• 一代人
  5 6
• GPU Frequency
  710 MHz 650 MHz
• GPU名称
  Qualcomm Adreno 540 Intel HD Graphics 3000
• GPU Turbo
  710 MHz 1300 MHz
• Max. displays
  0 2
• 发布日期
  Q1/2017 Q1/2011
• 着色器
  384 96
• 技术过程
  10 nm 32 nm

用于编码和解码内容的内置编解码器。大大地加快了所需的操作。

• AV1
  没有 没有
• H.264 / AVC
  Conflicting source values: Decode | No Decode / Encode
• h265 / HEVC (8 bit)
  Decode 没有
• h265 / HEVC (10 bit)
  没有 没有
• JPEG
  Decode 没有
• VC-1
  Decode Decode
• VP8
  Decode 没有
• VP9
  Decode 没有

支持的RAM的类型、通道数量 Intel Core i7-2620M 和 Qualcomm Snapdragon 835. 根据主板的不同，可能支持更高或更低的内存频率。

• ECC
  没有 没有
• 最大内存
  - 16 GB
• 记忆通道
  2 2
• 存储器类型
  LPDDR4X-1866 DDR3-1066DDR3-1333
• PCIe通道
  - 16
• PCIe版本
  - 2.0

• AES-NI
  没有 是

比较TDP的要求 Qualcomm Snapdragon 835 和 Intel Core i7-2620M Power specifications describe different manufacturer limits. TDP, base power and maximum turbo power are separate values; they do not establish measured system consumption.

• Maximum Operating Temperature
  - 100 °C
• TDP (PL1, legacy label)
  - 35 W

架构、接口、所支持的额外指令 Qualcomm Snapdragon 835 和 Intel Core i7-2620M, 虚拟机技术和工艺技术。

• 建筑学
  Kryo 280 Sandy Bridge H
• 指令集（ISA）
  ARMv8-A64 (64 bit) x86-64 (64 bit)
• ISA扩展
  - SSE4.1, SSE4.2, AVX
• L2-Cache
  - 4 MB
• Part Number
  MSM8998 -
• 发布日期
  Q2/2017 Q1/2011
• 插座
  - BGA 1023
• 技术过程
  10 nm 32 nm
• 虚拟化
  None VT-x, VT-x EPT