Qualcomm Snapdragon 835 versus HiSilicon Kirin 960. Especificações, desempenho, testes

Informação de base sobre os processadores a serem comparados, séries, geração e segmento de mercado.

• Segmento
  Mobile Mobile
• Série
  Qualcomm Snapdragon HiSilicon Kirin
• Geração
  4 5
• Grupo CPU
  Qualcomm Snapdragon 830 HiSilicon Kirin 960

Parâmetros básicos tais como número de núcleos, número de roscas, frequência de base e turbo, e tamanho da cache. Estes parâmetros informam indirectamente sobre a velocidade do processador, quanto maior for a sua velocidade, melhor.

• Frequência
  1.90 GHz 1.80 GHz
• Núcleos de CPU
  8 8
• Turbo (1 núcleo)
  2.45 GHz 2.40 GHz
• Roscas de CPU
  8 8
• Turbo (8 Cores)
  2.45 GHz 2.40 GHz
• Hyperthreading
  Não Não
• Overclocking
  Não Não
• Arquitectura central
  hybrid (big.LITTLE) hybrid (big.LITTLE)
• A core
  4x Kryo 280 Gold 4x Cortex-A73
• B core
  4x Kryo 280 Silver 4x Cortex-A53

A placa gráfica interna não afecta o desempenho da CPU, realiza o trabalho da placa gráfica na sua ausência ou em dispositivos móveis.

• Nome da GPU
  Qualcomm Adreno 540 ARM Mali-G71 MP8
• GPU frequency
  0.71 GHz 0.90 GHz
• GPU (Turbo)
  0.71 GHz Sem turbo
• Unidades de execução
  0 8
• Shader
  384 256
• Max. GPU Memory
  -- 2 GB
• Max. displays
  0 2
• Geração
  5 Bifrost 1
• DirectX Version
  11.1 11
• Processo técnico
  10 nm 16 nm
• Data de lançamento
  Q1/2017 Q2/2016

Codecs incorporados utilizados para codificar e descodificar o conteúdo. Acelera significativamente as operações necessárias.

• h265 / HEVC (8 bit)
  Decode Decode / Encode
• h265 / HEVC (10 bit)
  Não Decode
• h264
  Decode Decode / Encode
• VP9
  Decode Não
• VP8
  Decode Decode / Encode
• AV1
  Não Não
• AVC
  Não Decode / Encode
• VC-1
  Decode Não
• JPEG
  Decode Decode / Encode

Tipos, quantidade de canais de RAM suportados por HiSilicon Kirin 960 e Qualcomm Snapdragon 835. Dependendo das placas-mãe, podem ser suportadas frequências de memória mais altas ou mais baixas.

• Tipo de memória
  LPDDR4X-1866 LPDDR4-1600
• Máx. Memória
  6 GB
• ECC
  Não Não
• Canais de memória
  2 2

• AES-NI
  Não Não

Comparar os requisitos de TDP do TDP Qualcomm Snapdragon 835 e HiSilicon Kirin 960 para seleccionar um sistema de arrefecimento. Nota: o valor do TDP refere-se a watts térmicos, não a watts eléctricos.

• TDP (PL1)
  5 W

Arquitectura, interfaces, instruções adicionais suportadas por Qualcomm Snapdragon 835 e Qualcomm Snapdragon 835, tecnologias de máquinas virtuais e tecnologia de processos.

• Conjunto de instruções (ISA)
  ARMv8-A64 (64 bit) ARMv8-A64 (64 bit)
• Virtualização
  None None
• Кеш L3
  -- 4.00 MB
• Arquitectura
  Kryo 280 Cortex-A73 / Cortex-A53
• Processo técnico
  10 nm 16 nm
• Socket
  N/A N/A
• Data de lançamento
  Q2/2017 Q4/2016
• Part Number
  MSM8998 --