Qualcomm Snapdragon 660 versus HiSilicon Kirin 710. Especificações, desempenho, testes

Informação de base sobre os processadores a serem comparados, séries, geração e segmento de mercado.

• Grupo CPU
  Qualcomm Snapdragon 660 HiSilicon Kirin 710
• Série
  Qualcomm Snapdragon HiSilicon Kirin
• Geração
  5 5
• Segmento
  Mobile Mobile

Core counts, threads, cache and clock modes describe the CPU configuration. Performance depends on the workload and comparable measured results.

• A-Core
  4x Kryo 260 Gold 4x Cortex-A73
• B-Core
  4x Kryo 260 Silver 4x Cortex-A53
• Base Frequency
  1.84 GHz 1.7 GHz
• Arquitectura central
  hybrid (big.LITTLE) hybrid (big.LITTLE)
• Núcleos de CPU
  8 8
• Roscas de CPU
  8 8
• Hyperthreading / SMT
  Não Não
• Overclocking
  Não Não
• Turbo Frequency (1 Core)
  2.2 GHz 2.2 GHz
• Turbo Frequency (8 Cores)
  1.84 GHz 2.2 GHz

A placa gráfica interna não afecta o desempenho da CPU, realiza o trabalho da placa gráfica na sua ausência ou em dispositivos móveis.

• DirectX Version
  11 11
• Unidades de execução
  0 8
• Geração
  5 Bifrost 1
• GPU Frequency
  600 MHz 650 MHz
• Nome da GPU
  Qualcomm Adreno 512 ARM Mali-G51 MP4
• GPU Turbo
  600 MHz 1000 MHz
• Max. displays
  0 2
• Max. GPU Memory
  - 4 GB
• Data de lançamento
  Q4/2015 Q2/2018
• Shader
  128 128
• Processo técnico
  14 nm 12 nm

Codecs incorporados utilizados para codificar e descodificar o conteúdo. Acelera significativamente as operações necessárias.

• AV1
  Não Não
• H.264 / AVC
  Conflicting source values: Decode | No Decode / Encode
• h265 / HEVC (8 bit)
  Decode Decode / Encode
• h265 / HEVC (10 bit)
  Não Não
• JPEG
  Decode Decode / Encode
• VC-1
  Decode Decode / Encode
• VP8
  Decode Decode / Encode
• VP9
  Decode Decode / Encode

Tipos, quantidade de canais de RAM suportados por HiSilicon Kirin 710 e Qualcomm Snapdragon 660. Dependendo das placas-mãe, podem ser suportadas frequências de memória mais altas ou mais baixas.

• ECC
  Não Não
• Máx. Memória
  - 6 GB
• Canais de memória
  2 2
• Tipo de memória
  LPDDR4-1866 LPDDR3LPDDR4

• AES-NI
  Não Não

Comparar os requisitos de TDP do TDP Qualcomm Snapdragon 660 e HiSilicon Kirin 710 Power specifications describe different manufacturer limits. TDP, base power and maximum turbo power are separate values; they do not establish measured system consumption.

• TDP (PL1, legacy label)
  - 5 W

Arquitectura, interfaces, instruções adicionais suportadas por Qualcomm Snapdragon 660 e HiSilicon Kirin 710, tecnologias de máquinas virtuais e tecnologia de processos.

• Arquitectura
  Kryo 260 Cortex-A73 / Cortex-A53
• Conjunto de instruções (ISA)
  ARMv8-A64 (64 bit) ARMv8-A64 (64 bit)
• Кеш L3
  - 1 MB
• Part Number
  SDM660 -
• Data de lançamento
  Q2/2017 Q3/2018
• Processo técnico
  14 nm 12 nm
• Virtualização
  None None